Central公司介绍和产品目录_Central Semiconductor Corp_中央半导体专区_授权代理商

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： CLL914 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD80 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-80 料号：E3-169 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH3-100 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-277 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CN649 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GP 600V 400MA DO-41SP 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 400mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 600V	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-279 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-334 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-60M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 60V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-335 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3U-04 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-473 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3-10 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-475 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CTLSH15-30M364 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 15A 3TLM 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：TLM364 料号：E3-478 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH3-100M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-567 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5060 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：GPR-1A 料号：E3-575 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5061 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：GPR-1A 料号：E3-576 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CN649 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GP 600V 400MA DO-41SP 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 400mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 600V	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-592 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-10M TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-665 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CHD8-06 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE HYPERFAST 600V 8A DPAK 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DPAK 料号：E3-680 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3U-06 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-692 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-10 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-718 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-40 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 40V 2A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-719 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3U-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 3A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-721 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-20L BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 2A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-752 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3U-06 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-768 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： CLL914 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD80 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SOD-80 料号：E3-169 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH3-100 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-277 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CN649 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GP 600V 400MA DO-41SP 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 400mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 600V	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-279 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-334 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH1-60M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 60V 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-335 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3U-04 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-473 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3-10 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-475 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CTLSH15-30M364 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 30V 15A 3TLM 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：TLM364 料号：E3-478 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH3-100M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-567 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5060 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：GPR-1A 料号：E3-575 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： 1N5061 TR复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：GPR-1A 料号：E3-576 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CN649 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GP 600V 400MA DO-41SP 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：1V @ 400mA 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：200nA @ 600V	丝印：外壳：封装：DO-41 料号：E3-592 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-10M TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMA 料号：E3-665 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CHD8-06 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE HYPERFAST 600V 8A DPAK 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：DPAK 料号：E3-680 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3U-06 TR13复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-692 资料：规格书/封装库包装：带卷（TR）	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR1U-10 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-718 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-40 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 40V 2A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-719 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3U-06M BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 3A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-721 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMSH2-20L BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE SCHOTTKY 20V 2A SMB 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：肖特基电流 - 平均整流（io）：2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMB 料号：E3-752 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： CMR3U-06 BK复制品牌： Central Semiconductor Corp复制 Central 中央半导体描述： DIODE GEN PURP 600V 3A SMC 参数：二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（io）:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（io）:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）: 电流 - 平均整流（io）:400mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 400mA 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?vr 时的电流 - 反向漏电流:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 安装类型:通孔标签: 工作温度 - 结:-65°C ~ 15 包装: 二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:带卷（TR）二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（io）:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:肖特基电压 - dc 反向（vr）（最大值）:20V 电流 - 平均整流（io）:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装二极管类型:标准电压 - dc 反向（vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（io）:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: 速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）: 不同?vr 时的电流 - 反向漏电流: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装标签: 工作温度 - 结: 包装:散装类别：二极管 - 整流器 - 单路替代：	二极管类型：标准电流 - 平均整流（io）：3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）：速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）：不同?vr 时的电流 - 反向漏电流：	丝印：外壳：封装：SMC 料号：E3-768 资料：规格书/封装库包装：散装	参考价格:￥0.090400	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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